金融界2025年1月31日音书，国度学问产权局讯息显示，长鑫科技集团股份有限公司申请一项名为“半导体机合及其造备技巧”的专利，公然号 CN 119384024 A，申请日期为2023年7月。

　　专利摘要显示，本公然涉及一种半导体机合及其造备技巧。半导体机合囊括衬底，沟道层，栅介质层以及栅极；衬底囊括台阶区域；沟道层随形遮盖台阶区域的皮相；栅介质层位于沟道层的皮相；栅极位于栅介质层远离衬底的皮相。上述半导体机合中，衬底拥有台阶区域，通过随形遮盖台阶区域皮相的沟道层，拉长了沟道层的长度，或许有用途理短沟道效应，同时不影响半导体机合的尺寸微缩，仅仅通过安排衬底上台阶区域的尺寸或台阶个数，就可能取得拥有差别沟道长度的沟道层。以及通过位于沟道层皮相的栅介质层，以及位于栅介质层皮相的栅极，或许增大栅极机合与沟道层之间的接触面积，加强了栅极的把持才具，从而削弱漏极势垒低落效应的影响，以优化器件的电学本能。

　　天眼查原料显示，长鑫科技集团股份有限公司，建树于2016年，位于合肥市，是一家以从事估计妄图机、通讯和其他电子筑造创造业为主的企业。企业注册本钱5777094.224万国民币，实缴本钱5363300万国民币。通过天眼查大数据判辨，长鑫科技集团股份有限公司共对表投资了17家企业，插手招投标项目1088次，学问产权方面有牌号讯息207条，专利讯息227条，另表企业还具有行政许可28个。