无论从科技或是经济进展的角度来看，半导体的厉重性都吵嘴常庞大的。大一面的电子产物，如计划机、转移电话或是数字灌音机当中的重点单位都和半导体有着极为亲密的合系。常见的
物质存正在的格式多种多样，固体、液体、气体、等离子体等等。咱们经常把导电性和导电导热性差或欠好的资料，如金刚石、人为晶体、琥珀、陶瓷等等，称为绝缘体。而把导电、导热都对照好的金属如金、银、铜、铁、锡、铝等称为导体。可能方便的把介于导体和绝缘体之间的资料称为半导体。与导体和绝缘体比拟，半导体资料的出现是最晚的，直到20世纪30年代，当资料的提纯手艺改革自此，半导体的存正在才真正被学术界认同。
半导体的分类，服从其造作手艺可能分为：集成电途器件，分立器件、光电半导体、逻辑IC、模仿IC、储蓄器等大类，大凡来说这些还会被分成幼类。其余另有以操纵周围、策画方式等举办分类，固然不常用，但仍是服从IC、LSI、VLSI（超大LSI）及其范畴举办分类的方式。其余，另有服从其所措置的信号，可能分成模仿、数字、模仿数字混成及效力举办分类的方式。
半导体室温时电阻率约正在10E-5～10E7欧米之间，温度升高时电阻率指数则减幼。
锗和硅是最常用的元素半导体；化合物半导体包含Ⅲ-Ⅴ 族化合物（砷化镓、磷化镓等）、Ⅱ-Ⅵ族化合物( 硫化镉、硫化锌等)、氧化物(锰、铬、铁、铜的氧化物),以及由Ⅲ-Ⅴ族化合物和Ⅱ-Ⅵ族化合物构成的固溶体（镓铝砷、镓砷磷等）。除上述晶态半导体表，另有非晶态的玻璃半导体、有机半导体等。
本征半导体 不含杂质且无晶格缺陷的半导体称为本征半导体。正在极低温度下，半导体的价带是满带(见能带表面)，受到热饱舞后，价带中的一面电子会越过禁带进入能量较高的空带，空带中存正在电子后成为导带，价带中贫乏一个电子后变成一个带正电的空隙，称为空穴。导带中的电子和价带中的空穴合称电子 - 空穴对，均能自正在转移，即载流子，它们正在表电场效力下爆发定向运动而变成宏观电流，差异称为电子导电和空穴导电。这种因为电子-空穴对的爆发而变成的夹杂型导电称为本征导电。导带中的电子会落入空穴，电子-空穴对消灭，称为复合。复应时开释出的能量造成电磁辐射（发光）或晶格的热振动能量（发烧）。正在肯定温度下，电子 - 空穴对的爆发和复合同时存正在并到达动态平均，此时半导体拥有肯定的载流子密度，从而拥有肯定的电阻率。温度升高时，将爆发更多的电子 - 空穴对，载流子密度扩张，电阻率减幼。无晶格缺陷的纯净半导体的电阻率较大，现实操纵不多。
共价键构造：相邻的两个原子的一对最表层电子（即价电子）不光各自盘绕本身所属的原子核运动，况且涌现正在相邻原子所属的轨道上，成为共用电子，组成共价键。
自正在电子的变成：正在常温下，少数的价电子因为热运动取得足够的能量，挣脱共价键的管束造成为自正在电子。
动态平均：正在肯定的温度下，本征饱舞所爆发的自正在电子与空穴对，与复合的自正在电子与空穴对数量相当，到达动态平均。
载流子的浓度与温度的相合：温度肯定，本征半导体中载流子的浓度是肯定的，而且自正在电子与空穴的浓度相当。当温度升高时，热运动加剧，挣脱共价键管束的自正在电子增加，空穴也随之增加（即载流子的浓度升高），导电机能加强；当温度下降，则载流子的浓度下降，导电机能变差。
结论：本征半导体的导电机能与温度相合。半导体资料机能对温度的敏锐性，可修造热敏和光敏器件，又形成半导体器件温度安定性差的理由。
N型半导体：正在纯净的硅晶体中掺入五价元素（如磷），使之代替晶格中硅原子的位子，就变成了N型半导体。
N型半导体的导电性情：它是靠自正在电子导电，掺入的杂质越多，多子（自正在电子）的浓度就越高，导电机能也就越强。
P型半导体：正在纯净的硅晶体中掺入三价元素（如硼），使之代替晶格中硅原子的位子，变成P型半导体。
扩散运动：物质老是从浓度高的地目标浓度低的地方运动，这种因为浓度差而爆发的运动称为扩散运动。
空间电荷区：扩散到P区的自正在电子与空穴复合，而扩散到N区的空穴与自正在电子复合，因而正在接壤面邻近多子的浓度低落，P区涌现负离子区，N区涌现正离子区，它们是不行转移，称为空间电荷区。
PN结的变成流程：将P型半导体与N型半导体修造正在统一块硅片上，正在无表电场和其它饱舞效力下，插手扩散运动的多子数量等于插手漂移运动的少子数量，从而到达动态平均，变成PN结。
耗尽层：绝大一面空间电荷区内自正在电子和空穴的数量都万分少，正在了解PN结时常漠视载流子的效力，而只商讨离子区的电荷，称耗尽层。
P端接电源的正极，N端接电源的负极称之为PN结正偏。此时PN结如统一个开合合上，出现很幼的电阻，称之为导通状况。
P端接电源的负极，N端接电源的正极称之为PN结反偏，此时PN结处于截止状况，似乎开合翻开。结电阻很大，当反向电压加大到肯定水平，PN结会产生击穿而损坏。
（1）元素半导体。元素半导体是指简单位素组成的半导体，个中对硅、硒的磋商对照早。它是由一样元素构成的拥有半导体性情的固体资料，容易受到微量杂质和表界条款的影响而产生改观。目前， 惟有硅、锗机能好，行使的对照广，硒正在电子照明和光电周围中操纵。硅正在半导体工业中行使的多，这首要受到二氧化硅的影响，不妨正在器件修造上变成掩膜，不妨进步半导体器件的安定性，利于自愿化工业分娩。
（2）无机合成物半导体。无机合成物首如果通过简单位素组成半导体资料，当然也有多种元素组成的半导体资料，首要的半导体本质有I族与V、VI、VII族；II族与IV、V、VI、VII族；III族与V、VI族；IV族与IV、VI族;V族与VI族；VI族与VI族的勾结化合物，但受到元素的性情和修造格式的影响，不是一齐的化合物都不妨切合半导体资料的央浼。这一半导体首要行使到高速器件中，InP造作的晶体管的速率比其他资料都高，首要行使到光电集成电途、抗核辐射器件中。 关于导电率高的资料，首要用于LED等方面。
（3）有机合成物半导体。有机化合物是指含分子中含有碳键的化合物，把有机化合物和碳键笔直，叠加的格式不妨变成导带，通过化学的增添，不妨让其进入到能带，云云可能产生电导率，从而变成有机化合物半导体。这一半导体和以往的半导体比拟，拥有本钱低、溶化性好、资料轻加工容易的特性。可能通过驾御分子的格式来驾御导电机能，操纵的范畴对照广，首要用于有机薄膜、有机照明等方面。
（4）非晶态半导体。它又被叫做无定形半导体或玻璃半导体，属于半导电性的一类资料。非晶半导体和其他非晶资料相似，都是短程有序、长程无序构造。它首如果通过转移原子相对位子，转移原有的周期性陈列，变成非晶硅。晶态和非晶态首要区别于原子陈列是否拥有长标准。非晶态半导体的机能驾御难，跟着手艺的发觉，非晶态半导体发端行使。这一修造工序方便，首要用于工程类，正在光吸取方面有很好的功效，首要行使到太阳能电池和液晶显示屏中。
（5）本征半导体：不含杂质且无晶格缺陷的半导体称为本征半导体。正在极低温度下，半导体的价带是满带，受到热饱舞后，价带中的一面电子会越过禁带进入能量较高的空带，空带中存正在电子后成为导带，价带中贫乏一个电子后变成一个带正电的空隙，称为空穴。空穴导电并不是现实运动，而是一种等效。电子导电时等电量的空穴会沿其不和标运动。它们正在表电场效力下爆发定向运动而变成宏观电流，差异称为电子导电和空穴导电。这种因为电子-空穴对的爆发而变成的夹杂型导电称为本征导电。导带中的电子会落入空穴，电子-空穴对消灭，称为复合。复应时开释出的能量造成电磁辐射（发光）或晶格的热振动能量（发烧）。正在肯定温度下，电子-空穴对的爆发和复合同时存正在并到达动态平均，此时半导体拥有肯定的载流子密度，从而拥有肯定的电阻率。温度升高时，将爆发更多的电子-空穴对，载流子密度扩张，电阻率减幼。无晶格缺陷的纯净半导体的电阻率较大，现实操纵不多。
半导体产物品种丰盛，涵盖了从基础的二极管、晶体管到庞大的集成电途和微措置器等多个周围。以下是对半导体产物品种的周到总结：
界说：通过一系列特定的加工工艺，将晶体管、二极管等有源器件和电阻器、电容器等无源元件，服从肯定的电途互联，“集成”正在半导体晶片上，封装正在一个表壳内，推行特定效力的电途或体系。
数字集成电途：基于数字逻辑（布尔代数）策画和运转的，用于措置数字信号的集成电途。包含逻辑芯片（如CPU、GPU、ASIC、FPGA等）、微措置器（如MCU、MPU、DSP等）和存储器（如DRAM、NANDFLASH、NOR FLASH等）。
模仿集成电途：可措置相接函数格式模仿信号，从操纵角度可分为信号链途和电源执掌两大类。信号链途芯片能达成对模仿信号举办收发、转换、放大、过滤等效力，电源执掌芯片卖力电能变换、分拨、检测和其他电能执掌职责。
数模夹杂集成电途：正在一个别系中两种信号措置格式夹杂存正在，首要产物包含数模转换芯片、调造解调芯片等。
按造作工艺：如14nm芯片、7nm芯片等，这里的数字指芯片内部晶体管栅极的最幼线宽（栅宽）。工艺造程越先辈，芯片的机能越高，但造作本钱也越高。
传输效力：如蓝牙、WIFI、NB-IOT、宽带、USB接口、以太网接口、HDMI接口、驱动驾御等，用于数据传输。
分类：包含二极管、三极管、晶闸管、功率半导体器件（如LDMOS、IGBT、MOSFET等）等。分立器件比拟集成电途体积更大，但正在超大功率、半导体照明等形势拥有上风。
分类：包含CCD、CIS、LED、光子探测器、光耦合器、激光芯片等。服从是否产生光电信号转化，可分为有源光芯片（如发射芯片与摄取芯片）和无源光芯片（如光开合芯片、光分束器芯片）两类。
界说：诈欺半导体的压阻效应、内光电效应、磁电效应等道理造成，用于丈量温度、湿度、压力、加快率、磁场和无益气体等物理量。
分类：首要产物包含MEMS传感器、指纹识别芯片、视觉传感器芯片等。MEMS传感器大凡由MEMS芯片和与之配套的ASIC（专用集成电途）芯片组成。
综上所述，半导体产物品种繁多，每种产物都有其奇特的操纵周围和上风。跟着手艺的一向进展，半导体产物的机能和效力也正在一向提拔和拓展。
半导体中的杂质对电阻率的影响万分大。半导体中掺入微量杂质时，杂质原子邻近的周期势场受到作梗并变成附加的管束状况，正在禁带中产加的杂质能级。比如四价元素锗或硅晶体中掺入五价元素磷、砷、锑等杂质原子时，杂质原子行为晶格的一分子，其五个价电子中有四个与界限的锗（或硅）原子变成共价勾结，多余的一个电子被管束于杂质原子邻近，爆发类氢能级。杂质能级位于禁带上方亲热导带底邻近。杂质能级上的电子很易饱舞到导带成为电子载流子。这种能供给电子载流子的杂质称为施主，相应能级称为施主能级。施主能级上的电子跃迁到导带所需能量比从价带饱舞到导带所需能量幼得多。正在锗或硅晶体中掺入微量三价元素硼、铝、镓等杂质原子时，杂质原子与界限四个锗（或硅）原子变成共价勾结时尚贫乏一个电子，所以存正在一个空隙，与此空隙相应的能量状况便是杂质能级，经常位于禁带下方亲热价带处。价带中的电子很易饱舞到杂质能级上补充这个空隙，使杂质原子成为负离子。价带中因为贫乏一个电子而变成一个空穴载流子。这种能供给空穴的杂质称为受主杂质。存正在受主杂质时，正在价带中变成一个空穴载流子所需能量比本征半导体情状要幼得多。半导体掺杂后其电阻率大大低落。加热或光照爆发的热饱舞或光饱舞都市使自正在载流子数扩张而导致电阻率减幼，半导体热敏电阻和光敏电阻便是依据此道理造成的。对掺入施主杂质的半导体，导电载流子首如果导带中的电子，属电子型导电，称N型半导体。掺入受主杂质的半导体属空穴型导电，称P型半导体。半导体正在职何温度下都能爆发电子-空穴对，故N型半导体中可存正在少量导电空穴，P型半导体中可存正在少量导电电子，它们均称为少数载流子。正在半导体器件的各样效应中，少数载流子常饰演厉重脚色。
P型半导体与N型半导体互相接触时，其接壤区域称为PN结。P区中的自正在空穴和N区中的自正在电子要向对方区域扩散，形成正负电荷正在 PN 结两侧的积聚，变成电偶极层。电偶极层中的电场目标正好劝止扩散的举办。当因为载流子数密度不等惹起的扩散效力与电偶层中电场的效力到达平均时，P区和N区之间变成肯定的电势差，称为接触电势差。因为P 区中的空穴向N区扩散后与N区中的电子复合，而N区中的电子向P区扩散后与P 区中的空穴复合，这使电偶极层中自正在载流子数淘汰而变成高阻层，故电偶极层也叫滞碍层，滞碍层的电阻值往往是构成PN结的半导体的原有阻值的几十倍以致几百倍。
PN结拥有单指导电性，半导体整流管便是诈欺PN结的这一性情造成的。PN结的另一厉重本质是受到光照后能爆发电动势，称光生伏打效应，可诈欺来造作光电池。半导体三极管、可控硅、PN结光敏器件和发光二极管等半导体器件均诈欺了PN结的性情。
半导体之因而能平凡操纵正在目前的数位天下中，依靠的便是其能借由正在其晶格中植入杂质转移其电性，这个流程称之为掺杂（doping）。掺杂进入性子半导体（intrinsic semiconductor）的杂质浓度与极性皆会对半导体的导电性情爆发很大的影响。而掺杂过的半导体则称为表质半导体（extrinsic semiconductor）。
哪种资料适合行为某种半导体资料的掺杂物（dopant）需视两者的原子性情而定。大凡而言，掺杂物根据其带给被掺杂资料的电荷正负被分辨为施体（donor）与受体（acceptor）。施体原子带来的价电子（valence electrons）公多会与被掺杂的资料原子爆发共价键，进而被管束。而没有和被掺杂资料原子爆发共价键的电子则会被施体原子单薄地管束住，这个电子又称为施体电子。和性子半导体的价电子比起来，施体电子跃迁至传导带所需的能量较低，对照容易正在半导体资料的晶格中转移，爆发电流。固然施体电子取得能量会跃迁至传导带，但并不会和性子半导体相似留下一个电洞，施体原子正在落空了电子后只会固定正在半导体资料的晶格中。是以这种由于掺杂而取得多余电子供给传导的半导体称为n型半导体（n-type semiconductor），n代表带负电荷的电子。
和施体相对的，受体原子进入半导体晶格后，由于其价电子数量比半导体原子的价电子数目少，等效上会带来一个的空隙，这个多出的空隙即可视为电洞。受体掺杂后的半导体称为p型半导体（p-type semiconductor），p代表带正电荷的电洞。
以一个硅的性子半导体来解说掺杂的影响。硅有四个价电子，常用于硅的掺杂物有三价与五价的元素。当惟有三个价电子的三价元素如硼（boron）掺杂至硅半导体中时，硼饰演的即是受体的脚色，掺杂了硼的硅半导体便是p型半导体。反过来说，假使五价元素如磷（phosphorus）掺杂至硅半导体时，磷饰演施体的脚色，掺杂磷的硅半导体成为n型半导体。
一个半导体资料有或许先后掺杂施体与受体，而怎么决断其余质半导体为n型或p型务必视掺杂后的半导体中，受体带来的电洞浓度较高或是施体带来的电子浓度较高，亦即何者为其余质半导体的“无数载子”（majority carrier）。和无数载子相对的是少数载子（minority carrier）。关于半导体元件的操作道理了解而言，少数载子正在半导体中的行动有着万分厉重的身分。
掺杂物浓度关于半导体直接的影响正在于其载子浓度。正在热平均的状况下，一个未经掺杂的性子半导体，电子与电洞的浓度相当，如下列公式所示：
n = p =ni个中n是半导体内的电子浓度、p则是半导体的电洞浓度，ni则是性子半导体的载子浓度。ni会跟着资料或温度的分歧而转移。关于室温下的硅而言，ni约莫是1×10 cm。
经常掺杂浓度越高，半导体的导电性就会变得越好，理由是能进入传导带的电子数目会跟着掺杂浓度进步而扩张。掺杂浓度万分高的半导体认由于导电性亲密金属而被平凡操纵正在集成电途造程来代替部份金属。高掺杂浓度经常会正在n或是p后面附加一上标的“+”号，比如n 代表掺杂浓度万分高的n型半导体，反之比如p 则代表轻掺杂的p型半导体。需求更加解说的是纵使掺杂浓度一经高到让半导体“退化”（degenerate）为导体，掺杂物的浓度和正本的半导体原子浓度比起来仍是差异万分大。以一个有晶格构造的硅性子半导体而言，原子浓度约莫是5×10 cm，而大凡集成电途造程里的掺杂浓度约正在10 cm至10 cm之间。掺杂浓度正在10 cm以上的半导体正在室温下经常就会被视为是一个“简并半导体”（degenerated semiconductor）。重掺杂的半导体中，掺杂物和半导体原子的浓度比约是千分之一，而轻掺杂则或许会到十亿分之一的比例。正在半导体例程中，掺杂浓度都市根据所造作出元件的需求量身打造，以合于行使者的需求。
掺杂之后的半导体能带会有所转移。根据掺杂物的分歧，性子半导体的能隙之间会涌现分歧的能阶。施体原子会正在亲热传导带的地方爆发一个新的能阶，而受体原子则是正在亲热价带的地方爆发新的能阶。假设掺杂硼原子进入硅，则由于硼的能阶到硅的价带之间仅有0.045电子伏特，远幼于硅自身的能隙1.12电子伏特，因而正在室温下就可能使掺杂到硅里的硼原子十足解离化（ionize）。
掺杂物关于能带构造的另一个庞大影响是转移了费米能阶的位子。正在热平均的状况下费米能阶仍旧会维系定值，这性子情会引出良多其他有效的电性情。举例来说，一个p-n接面（p-n junction）的能带会弯折，起因是正本p型半导体和n型半导体的费米能阶位子各纷歧样，可是变成p-n接面后其费米能阶务必维系正在同样的高度，形成无论是p型或是n型半导体的传导带或价带都市被弯曲以配合接面处的能带不同。
上述的效应可能用能带图（band diagram）来讲明。正在能带图里横轴代表位子，纵轴则是能量。图中也有费米能阶，半导体的性子费米能阶（intrinsic Fermi level）经常以Ei来显示。正在讲明半导体元件的行动时，能带图吵嘴常有效的器械。
半导体的发实际际上可能追溯到良久以前，1833年，英国巴拉迪最先出现硫化银的电阻跟着温度的改观情状分歧于大凡金属，大凡情状下，金属的电阻随温度升高而扩张，但巴拉迪出现硫化银资料的电阻是跟着温度的上升而下降。这是半导体景象的初度出现。
不久， 1839年法国的贝克莱尔出现半导体和电解质接触变成的结，正在光照下会爆发一个电压，这便是厥后人们熟知的光生伏殊效应，这是被出现的半导体的第二个特点。
正在1874年，德国的布劳恩考核到某些硫化物的电导与所加电场的目标相合，即它的导电有目标性，正在它两头加一个正向电压，它是导通的；假使把电压极性反过来，它就不导电，这便是半导体的整流效应，也是半导体所特有的第三种性情。同年，舒斯特又出现了铜与氧化铜的整流效应。
1873年，英国的史密斯出现硒晶体资料正在光照下电导扩张的光电导效应，这是半导体又一个特有的本质。 半导体的这四个效应，(jianxia霍尔效应的余绩──四个伴生效应的出现)虽正在1880年以前就先后被出现了，但半导体这个名词大约到1911年才被考尼白格和维斯初度行使。而总结出半导体的这四性子情平昔到1947年12月才由贝尔试验室完毕。
良多人会疑难，为什么半导体被认同需求这么多年呢？首要理由是当时的资料不纯。没有好的资料，良多与资料合联的题目就难以说了然。
半导体于室温时电导率约正在10ˉ10～10000/cm之间，纯净的半导体温度升高时电导率按指数上升。半导体资料有良多种，按化学因素可分为元素半导体和化合物半导体两大类。除上述晶态半导体表，另有非晶态的有机物半导体等和本征半导体。
半导体资料光生伏殊效应是太阳能电池运转的基础道理。现阶段半导体资料的光伏操纵一经成为一大热点 ，是目前天下上增加最速、进展最好的明净能源墟市。太阳能电池的首要修造资料是半导体资料，决断太阳能电池的优劣首要的准则是光电转化率 ，光电转化率越高 ，解说太阳能电池的职业恶果越高。依据操纵的半导体资料的分歧 ，太阳能电池分为晶体硅太阳能电池、薄膜电池以及III-V族化合物电池。
LED是确立正在半导体晶体管上的半导体发光二极管 ，采用LED手艺半导体光源体积幼，可能达成平面封装，职业时发烧量低、节能高效，产物寿命长、反映速率速，况且绿色环保无污染，还能拓荒成浮滑短幼的产物 ，已经问世 ，就疾速普及，成为新一代的优质照明光源，目前一经平凡的行使正在咱们的存在中。如交通指示灯、电子产物的背光源、都市夜景美化光源、室内照明等各个周围 ，都有操纵。
换取电和直流电的互相转换关于电器的行使很是厉重 ，是对电器的须要爱惜。这就要用到等电源转换安装。碳化硅击穿电压强度高 ，禁带宽度宽，热导性高，是以SiC半导体器件很是适合操纵正在功率密度和开合频率高的形势，电源转换安装便是个中之一。碳化硅元件正在高温、高压、高频的又一涌现使得现正在被平凡行使到深井钻探，发电安装中的逆变器，电气混动汽车的能量转化器，轻轨列车牵引动力转换等周围。因为SiC自身的上风以及现阶段行业关于轻量化、高转换恶果的半导体资料需求，SiC将会代替Si，成为操纵最平凡的半导体资料。
半导体器件型号由五一面（场效应器件、半导体迥殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号定名惟有第三、四、五一面）构成。五个一面意旨如下：
第二一面：用汉语拼音字母显示半导体器件的资料和极性。显示二极管时：A-N型锗资料、B-P型锗资料、C-N型硅资料、D-P型硅资料。显示三极管时：A-PNP型锗资料、B-NPN型锗资料、C-PNP型硅资料、D-NPN型硅资料。
第三一面：用汉语拼音字母显示半导体器件的内型。P-普及管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-地道管、N-阻尼管、U-光电器件、K-开合管、X-低频幼功率管(F3MHz,Pc1W)、G-高频幼功率管（f3MHz,Pc1W)、D-低频大功率管（f3MHz,Pc1W)、A-高频大功率管（f3MHz,Pc1W)、T-半导体晶闸管（可控整流器）、Y-体效应器件、B-雪崩管、J-阶跃还原管、CS-场效应管、BT-半导体迥殊器件、FH-复合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。
第逐一面：用数字显示器件有用电极数量或类型。0-光电（即光敏）二极管三极管及上述器件的组合管、1-二极管、2三极或拥有两个pn结的其他器件、3-拥有四个有用电极或拥有三个pn结的其他器件、┄┄依此类推。
第二一面：日本电子工业协会JEIA注册记号。S-显示已正在日本电子工业协会JEIA注册立案的半导体分立器件。
第三一面：用字母显示器件行使资料极性和类型。A-PNP型高频管、B-PNP型低频管、C-NPN型高频管、D-NPN型低频管、F-P驾御极可控硅、G-N驾御极可控硅、H-N基极单结晶体管、J-P沟道场效应管、K-N 沟道场效应管、M-双向可控硅。
第四一面：用数字显示正在日本电子工业协会JEIA立案的次序号。两位以上的整数-从“11”发端，显示正在日本电子工业协会JEIA立案的次序号；分歧公司的机能一样的器件可能行使统一次序号；数字越大，越是近期产物。
第五一面：用字母显示统一型号的改革型产物记号。A、B、C、D、E、F显示这一器件是原型号产物的改革产物。
第逐一面：用符号显示器件用处的类型。JAN-军级、JANTX-特军级、JANTXV-超特军级、JANS-宇航级、（无）-非军用品。
第二一面：用数字显示pn结数量。1-二极管、2=三极管、3-三个pn结器件、n-n个pn结器件。
第三一面：美国电子工业协会（EIA）注册记号。N-该器件已正在美国电子工业协会（EIA）注册立案。
第五一面：用字母显示器件分档。A、B、C、D、┄┄-统一型号器件的分歧档别。如：JAN2N3251A显示PNP硅高频幼功率开合三极管，JAN-军级、2-三极管、N-EIA 注册记号、3251-EIA立案次序号、A-2N3251A档。
德国、法国、意大利、荷兰、比利时等欧洲国度以及匈牙利、罗马尼亚、南斯拉夫、波兰等东欧国度，多半采用国际电子连合会半导体分立器件型号定名方式。这种定名方式由四个基础一面构成，各一面的符号及意旨如下：
第逐一面：用字母显示器件行使的资料。A-器件行使资料的禁带宽度Eg=0.6~1.0eV 如锗、B-器件行使资料的Eg=1.0~1.3eV 如硅、C-器件行使资料的Eg1.3eV 如砷化镓、D-器件行使资料的Eg0.6eV 如锑化铟、E-器件行使复合资料及光电池行使的资料
第二一面：用字母显示器件的类型及首要特点。A-检波开合混频二极管、B-变容二极管、C-低频幼功率三极管、D-低频大功率三极管、E-地道二极管、F-高频幼功率三极管、G-复合器件及其他器件、H-磁敏二极管、K-盛开磁途中的霍尔元件、L-高频大功率三极管、M-紧闭磁途中的霍尔元件、P-光敏器件、Q-发光器件、R-幼功率晶闸管、S-幼功率开合管、T-大功率晶闸管、U-大功率开合管、X-倍增二极管、Y-整流二极管、Z-稳压二极管。
第三一面：用数字或字母加数字显示登暗记。三位数字-代表通用半导体器件的立案序号、一个字母加二位数字-显示专用半导体器件的立案序号。
第四一面：用字母对统一类型号器件举办分档。A、B、C、D、E┄┄-显示统一型号的器件按某一参数举办分档的记号。
1．稳压二极管型号的后缀。其后缀的第逐一面是一个字母，显示安定电压值的容许偏差范畴，字母A、B、C、D、E差异显示容许偏差为1%、2%、5%、10%、15%；其后缀第二一面是数字，显示标称安定电压的整数数值；后缀的第三一面是字母V，代表幼数点，字母V之后的数字为稳压管标称安定电压的幼数值。
3．晶闸管型号的后缀也是数字，经常标出最大反向峰值耐压值和最大反向合断电压中数值较幼的谁人电压值。
第二一面：A-二极管、C-三极管、AP-光电二极管、CP-光电三极管、AZ-稳压管、RP-光电器件。
正在智内行机安详板电脑等转移终端墟市的增加启发下，环球半导体财产进展充满生机，如今环球半导体财产年产值达3000亿美元摆布。
只是，环球半导体墟市的这块大蛋糕，中国却没有分享的时机。每年中国进口的芯片数额超出了1500亿美元，中国半导体财产需求云云之大，但自我提供的才气却亏空。中国半导体财产处于被动形式。要粉碎这一形式，需求从以下三个方面下大举气来促使：
第一，中国半导体财产整合的步骤还需加快。财产整合的须要性和厉重性业界都已普及认识到，只是正在现实促使中，力度却不敷。2012年我国集成电途财产的整合没有再涌现，策画企业的总数到达570家，比2011年的534家还扩张了36家。财产行列固然远大，但仍不重大。财产整合是一项一连跟进的职业，业界同仁们还需求一连发力才行。
第二，国内芯片与整机的联动需求提拔急切感。国度“十二五”计划中夸梗概增强芯片与整机的联动，只是如今两者的联动功效却不睬思。就拿整机企业来说，2012年芯片采购额单单联思一家企业就达78亿美元。中国有芯片企业，为何国内整机企业还要“舍近求远”?正在芯片与整机的联动的促使前期，不只仅需求芯片企业与整机企业的互相信托和协同，整机企业所顾虑的联动中的“危机”另有待化解。假使这个“危机”仅让整机企业承受，联动就无法很好地奉行。
第三，生态体系的扶植任重而道远。苹果和三星前后成为10大采购企业的垂老，他们的重大，本原正在于其生态体系的重大。正在现今的竞赛中，生态体系是获胜的筹码。对中国半导体企业来说，生态体系的扶植另有一段很长的途要走。惟有确立重大、完整的生态体系，才调确保企业走得更远、走得更稳。
如今，关于中国半导体财产来说，需求先交好“财产整合”、“整机与芯片联动”、“生态体系扶植”这三门作业。等交好这三门作业之后，正在议论财产做大做强的雄壮方向时就会特别胸有成竹，正在促使财产做大做强的流程中也会特别策划。
