，即金属（Metal）—氧化物（Oxide）—半导体（Semiconductor）场效应晶体管，是一种操纵场效应道理事业的半导体器件。

　　和通常双极型晶体管比拟，MOS管拥有输入阻抗高、噪声低、动态限度大、功耗幼、易于集成等上风，正在开闭电源、镇流器、高频感觉加热、高频逆变焊机、通讯电源等高频电源周围获得了越来越多数的操纵。

　　MOS管是FET的一种（另一种为JFET结型场效应管），闭键有两种组织局面：N沟道型和P沟道型。

　　依照场效应道理的区别，分为耗尽型（当栅压为零时有较大漏极电流）和加强型（当栅压为零，漏极电流也为零，必需再加必然的栅压之后才有漏极电流）两种。

　　于是，MOS管能够被造组成P沟道加强型、P沟道耗尽型、N沟道加强型、N沟道耗尽型4品种型产物。

　　普通主板上应用最多的是加强型MOS管，NMOS最多，普通多用正在信号驾驭上，其次是PMOS，多用正在电源开闭等方面，耗尽型简直不消。

　　每一个MOS管都供应有三个电极：Gate栅极（暗示为“G”）、Source源极（暗示为“S”）、Drain漏极（暗示为“D”）。接线时，对待N沟道的电源输入为D，输出为S；P沟道的电源输入为S，输出为D；且加强型、耗尽型的接法基础相通。

　　从上图能够看出NMOS和PMOS寄生二极管偏向不相通，NMOS是由S极→D极，PMOS是由D极→S极。

　　寄生二极管和通常二极管相通，正接会导通，反接截止，对待NMOS，当S极接正，D极接负，寄生二极管会导通，反之截止；对待PMOS管，当D极接正，S极接负，寄生二极管导通，反之截止。

　　某些操纵景象，也会拔取走体二极管，以低浸DS之间的压降（体二极管的压降是比MOS的导通压降大良多的），同时也要体贴体二极管的过电流本事。

　　当餍足MOS管的导通条目时，MOS管的D极和S极会导通，这个光阴体二极管是截止形态，由于MOS管的导通内阻极幼，普通mΩ级别，流过1A级另表电流，也才mV级别，于是D极和S极之间的导通压降很幼，亏折以使寄生二极管导通，这点必要非常防备。

　　N沟道加强型MOS管正在P型半导体上天生一层SiO2薄膜绝缘层，然后用光刻工艺扩散两个高掺杂的N型区，从N型区引出电极（漏极D、源极S）；正在源极和漏极之间的SiO2绝缘层上镀一层金属铝动作栅极G；P型半导体称为衬底，用符号B暗示。因为栅极与其它电极之间是彼此绝缘的，于是NMOS又被称为绝缘栅型场效应管。

　　当栅极G和源极S之间不加任何电压，即VGS=0时，因为漏极和源极两个N+型区之间隔有P型衬底，相当于两个背靠背连合的PN结，它们之间的电阻高达1012Ω，即D、S之间不具备导电的沟道，于是无论正在漏、源极之间加何种极性的电压，都不会形成漏极电流ID。

　　当将衬底B与源极S短接，正在栅极G和源极S之间加正电压，即VGS＞0时，如上图所示，则正在栅极与衬底之间形成一个由栅极指向衬底的电场。正在这个电场的效用下，P衬底表观相近的空穴受到排斥将向下方运动，电子受电场的吸引向衬底表观运动，与衬底表观的空穴复合，变成了一层耗尽层。

　　要是进一步降低VGS电压，使VGS抵达某一电压VT时，P衬底表观层中空穴全体被排斥和耗尽，而自正在电子多量地被吸引到表观层，由量变到质变，使表观层形成了自正在电子为多子的N型层，称为“反型层”，如下图所示。

　　反型层将漏极D和源极S两个N+型区相连通，组成了漏、源极之间的N型导电沟道。把初阶变成导电沟道所需的VGS值称为阈值电压或开启电压，用VGS（th）暗示。明白，只要VGS＞VGS（th）时才有沟道，并且VGS越大，沟道越厚，沟道的导通电阻越幼，导电本事越强；“加强型”一词也由此得来。

　　正在VGS＞VGS（th）的条目下，要是正在漏极D和源极S之间加上正电压VDS，导电沟道就会有电流通畅。漏极电流由漏区流向源区，由于沟道有必然的电阻，于是沿着沟道形成电压降，使沟道各点的电位沿沟道由漏区到源区逐步减幼，靠拢漏区一端的电压VGD最幼，其值为VGD=VGS－VDS，相应的沟道最薄；靠拢源区一端的电压最大，等于VGS，相应的沟道最厚。

　　云云就使得沟道厚度不再是平均的，通盘沟道呈倾斜状。跟着VDS的增大，靠拢漏区一端的沟道越来越薄。

　　当VDS增大到某一临界值，使VGD≤VGS（th）时，漏端的沟道消散，只剩下耗尽层，把这种景况称为沟道“预夹断”，如下图（a）所示。接续增大VDS[即VDS＞VGS－VGS（th）]，夹断点向源极偏向搬动，如下图（b）所示。

　　纵然夹断点正在搬动，但沟道区（源极S到夹断点）的电压降保留褂讪，仍等于VGS－VGS（th）。于是，VDS多余部门电压[VDS－（VGS－VGS（th））]全体降到夹断区上，正在夹断区内变成较强的电场。这时电子沿沟道从源极流向夹断区，当电子抵达夹断区周围时，受夹断区强电场的效用，会很疾的漂移到漏极。

　　对NMOS来说，Vg-VsVgs(th)，即G极和S极的压差大于必然值，MOS管会导通，不过也不行大太多，不然烧坏MOS管，开启电压和其他参数能够看详细器件的SPEC。

　　对PMOS来说，Vs-VgVgs(th)，即S极和G极的压差大于必然值，MOS管会导通，同样的，详细参数看器件的SPEC。

　　1、只容许从信号源取少量电流的景况下，选用MOS管；正在信号电压较低，有容许从信号源取较多电流的条目下，选用三极管。

　　2、MOS管是单极性器件（靠一种大批载流子导电），三极管是双极性器件（既有大批载流子，也要少数载流子导电）。

　　6、MOS管常用来动作电源开闭，以及大电流开闭电途、高频高速电途中，三极管常用来数字电途开闭驾驭。

　　MOS管的输入阻抗很大，容易受到表界信号的滋扰，只消少量的静电，就能使G-S极间等效电容两头形成很高的电压，要是不实时把静电开释掉，两头的高压容易使MOS管形成误举措，乃至有不妨击穿G-S极，起到一个固定电平的效用。

　　2、造止振动，普通单片机的I/O输出口都市带点杂散电感，正在电压突变的景况下，不妨与栅极电容变成LC振动，串联电阻能够增大阻尼减幼振动效率。

　　体贴导通电压Vgs(th)，普通MOS管都是用单片机举办驾驭，依照单片机GPIO的电平来拔取适合导通阈值的MOS管，而且尽量留有必然的余量，以确保MOS能够寻常开闭。

　　体贴ID电流，这个值代表了NMOS管的能流过多大电流，反映带负载的本事，领先这个值，MOS管也会损坏。

　　功率损耗必要体贴以下几个参数，征求热阻、温度。热阻指的是当有热量正在物体上传输时，正在物体两头温度差与热源的功率之间的比值，单元是℃/W或者是K/W，热阻的公式为ThetaJA = (Tj-Ta)/P，和功率和境遇温度都相闭连。

　　导通内阻体贴NMOS的Rds(on)参数，导通内阻越幼，NMOS管的损耗越幼，普通NMOS管的导通内阻都是正在mΩ级别。

　　MOS动作开闭器件，就会有开闭韶华观念，正在高速电途中，尽不妨拔取输入、输出电容Ciss&Coss幼、开闭韶华Ton&Toff短的MOS管，以保障数据通讯寻常。

　　依照PCB板的尺寸，拔取适合的NMOS管尺寸，正在板载面积有限的景况下，尽不妨拔取幼封装；尽量拔取常见封装，以备后续拔取适合的取代料。